相干光学操控半导体量子点(SQDs)激子态在量子信息、量子计算中具有很重要的应用。通过对影响量子点(QDs)拉比振荡因素的分析,可获得导致量子点体系退相干的物理机制,这为全光操控半导体量子点体系提供了理论依据。线偏振脉冲激光激发自组织InGaAs QDs,运用系统粒子数主方程并结合光学布洛赫矢量推导了单脉冲激发下V型三能级系统激子动力学方程,利用此方程讨论了初始状态及纯失相对拉比振荡的影响。研究表明,可以通过改变系统初态条件和激发场的偏振角对该体系激子拉比振荡的振幅和频率进行调控,可以用纯失相强度相关衰减因子等效地分析V型三能级体系的退相干特性,从而使相关计算得到了简化。

理论上分析了半导体量子点中浸润层跃迁(包括泄漏和俘获两个过程)对Rabi振荡退相干的影响, 含浸润层跃迁的粒子数运动方程可以很好地拟合实验结果。同时还对比分析了纯失相(pure dephasing)对Rabi振荡退相干的影响。分析表明, 可以用简单的纯失相强度相关衰减因子来等效地分析复杂的多能级跃迁体系的退相干特性。

利用离散偶极近似的方法(DDA)，对具有周期排列纳米孔金薄膜的散射光学性质进行了研究。通过计算得到的散射光谱曲线，确定了表面等离子激元(SPPs)在增强和抑制薄膜散射性质方面起到了重要的作用，通过改变孔间距、孔数量和孔直径能够控制表面等离子激元对薄膜散射系数的影响。同时也分析了膜宽、膜厚对薄膜散射系数的影响，结果表明随着薄膜厚度的增加，表面等离子共振峰强度降低。

Based on the interaction of the separate soliton pair, the self-deflection of the bright screening soliton in a bright-dark pair is studied by taking the higher order space charge field into account. Both numerical and analytical methods are adopted to obtain the result that the higher order of space charge field can enhance the deflection process of the bright soliton and varying the peak intensity of the dark soliton can influence the self-deflection strongly. The expression of the deflection distance with the dark soliton’s peak intensity is derived, and some corresponding properties of the self-deflection process are figured out.